transistor B676 schede tecn.

B676

SI PNP darlington transistor

GFX

U_CE/U_CB

-80/-100V

I_C

-4A

h_FE

>2000

P_tot

30W

T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

T_J

B676 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza, diodo integrato

Foto:

fonte:

2SB676

Informazioni aggiuntive per B676
OEM:	Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:	TO-220
scheda tecnica (jpg):	-
scheda tecnica (pdf):	-
OEM scheda tecnica:	-
prodotto complementare: ↓	2SD686
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T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

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