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B817


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT 15MHz
TJ -
B817 è un transistor silicio PNP, Uce = 140V, Ic = 12A, d´application: transistor di potenza
Foto: -
fonte: 2SB817
Informazioni aggiuntive per B817
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↓2SD1047
prodotti simili: ↓BD746F, [piú]
BD746F,2SA1294,2SA1386,2SA1386A,2SA1492
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B817


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT 15MHz
TJ -
B817 è un transistor silicio PNP, Uce = 140V, Ic = 12A, d´application: transistor di potenza
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fonte: 2SB817
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE -
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fT 15MHz
TJ -
B817 è un transistor silicio PNP, Uce = 140V, Ic = 12A, d´application: transistor di potenza
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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B817


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE 60-200
Ptot 100W
fT 15MHz
TJ 150°C
B817 è un transistor silicio PNP, Uce = 140V, Ic = 12A, d´application: convertitore DC/DC, amplificatore audio
Foto: -
fonte: KSB817
Informazioni aggiuntive per B817
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):disponibile
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UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE 60-200
Ptot 100W
fT 15MHz
TJ 150°C
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