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E170


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -3A
hFE 50-250
Ptot 12.5W
fT -
TJ -
E170 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 3A
Foto: -
fonte: KSE170
Informazioni aggiuntive per E170
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-126
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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E170


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GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -3A
hFE 50-250
Ptot 12.5W
fT -
TJ -
E170 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 3A
Foto: -
fonte: KSE170
Informazioni aggiuntive per E170
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-126
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GFX
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IC -3A
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Ptot 12.5W
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E170 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 3A
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