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F9012


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -20/-40V
IC -0.5A
hFE 40-202
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
F9012 è un transistor silicio PNP, Uce = 20V, Ic = 500mA
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per F9012
OEM:unknown oem
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
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GFX
UCE/UCB -20/-40V
IC -0.5A
hFE 40-202
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
F9012 è un transistor silicio PNP, Uce = 20V, Ic = 500mA
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Jaeger electronic catalog 1999
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GFX
UCE/UCB -20/-40V
IC -0.5A
hFE 40-202
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
F9012 è un transistor silicio PNP, Uce = 20V, Ic = 500mA
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Jaeger electronic catalog 1999
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SS9012


SI PNP transistor
simile a F9012 vedi nota
GFX
UCE/UCB -20/-40V
IC -0.5A
hFE 40-202
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
SS9012 è un simili transistor silicio PNP, Uce = 20V, Ic = 500mA, d´application: AF amplificatore di uscita
Foto: -
fonte: datasheet
Prodotto simile: SS9012
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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SI PNP transistor
simile a F9012 vedi nota
GFX
UCE/UCB -20/-40V
IC -0.5A
hFE 40-202
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
SS9012 è un simili transistor silicio PNP, Uce = 20V, Ic = 500mA, d´application: AF amplificatore di uscita
Foto: -
fonte: datasheet
Prodotto simile: SS9012
OEM:Samsung Elec... [piú]
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IC -0.5A
hFE 40-202
Ptot 625mW
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TJ 150°C
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Foto: -
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