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MD2905


SI PNP transistor
UCE/UCB -40/-60V
IC -0.6A
hFE 30-300
Ptot 3W
fT >200MHz
TJ 200°C
MD2905 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 600mA, d´application: amplificatore DC- fino VHF, 2 transistor in una cassa
Foto: -
fonte: Mo Motorola Semiconductor...... [piú]
Mo Motorola Semiconductor Library 1 Vol.II 1972
Informazioni aggiuntive per MD2905
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura:CASE654-04
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↑MD2219
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SI PNP transistor
UCE/UCB -40/-60V
IC -0.6A
hFE 30-300
Ptot 3W
fT >200MHz
TJ 200°C
MD2905 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 600mA, d´application: amplificatore DC- fino VHF, 2 transistor in una cassa
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Informazioni aggiuntive per MD2905
OEM:Motorola Sem... [piú]
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UCE/UCB -40/-60V
IC -0.6A
hFE 30-300
Ptot 3W
fT >200MHz
TJ 200°C
MD2905 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 600mA, d´application: amplificatore DC- fino VHF, 2 transistor in una cassa
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MD2219


SI NPN transistor
prodotto complementare per MD2905
UCE/UCB 30/60V
IC 0.6A
hFE 30-300
Ptot 3W
fT >250MHz
TJ 200°C
MD2219 è un complementare transistor silicio NPN, Uce = 30V, Ic = 600mA, d´application: transistor di commutazione veloce, 2 transistor in una cassa, stadi nella gamma da DC- fino a... [piú]
MD2219 è un complementare transistor silicio NPN, Uce = 30V, Ic = 600mA, d´application: transistor di commutazione veloce, 2 transistor in una cassa, stadi nella gamma da DC- fino a VHF
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Prodotti complementari: MD2219
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UCE/UCB 30/60V
IC 0.6A
hFE 30-300
Ptot 3W
fT >250MHz
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MD2219 è un complementare transistor silicio NPN, Uce = 30V, Ic = 600mA, d´application: transistor di commutazione veloce, 2 transistor in una cassa, stadi nella gamma da DC- fino a... [piú]
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UCE/UCB 30/60V
IC 0.6A
hFE 30-300
Ptot 3W
fT >250MHz
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MD2219 è un complementare transistor silicio NPN, Uce = 30V, Ic = 600mA, d´application: transistor di commutazione veloce, 2 transistor in una cassa, stadi nella gamma da DC- fino a... [piú]
MD2219 è un complementare transistor silicio NPN, Uce = 30V, Ic = 600mA, d´application: transistor di commutazione veloce, 2 transistor in una cassa, stadi nella gamma da DC- fino a VHF
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