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MF1011B900Y


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 65/65V
IC 50A
hFE -
Ptot 1.75kW
fT 1.09GHz
TJ 200°C
MF1011B900Y è un transistor silicio NPN, Uce = 65V, Ic = 50A, d´application: banda larga di classe C- amplificatore di impulsi per circuito di base per IFF, TCAS e livelli di modo S... [piú]
MF1011B900Y è un transistor silicio NPN, Uce = 65V, Ic = 50A, d´application: banda larga di classe C- amplificatore di impulsi per circuito di base per IFF, TCAS e livelli di modo S in banda da 1030 a 1090 MHz - potenza di picco, transistor di potenza microonde
Foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MF1011B900Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura:SOT448A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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MF1011B900Y


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 65/65V
IC 50A
hFE -
Ptot 1.75kW
fT 1.09GHz
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fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MF1011B900Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
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