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T1009


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
T1009 è un transistor silicio NPN, Uce = 25V, Ic = 50mA, d´application: AM/FM stadi amplificatore
Foto: -
fonte: KST1009
Informazioni aggiuntive per T1009
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: SOT-23
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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GFX
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hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
T1009 è un transistor silicio NPN, Uce = 25V, Ic = 50mA, d´application: AM/FM stadi amplificatore
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fonte: KST1009
Informazioni aggiuntive per T1009
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
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hFE 30-270
Ptot 350mW
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TJ 150°C
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