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2SJ56H


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -200V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) 1Ω
Ptot 125W
TON/TOFF 60/200nS
2SJ56H è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 200V, Ids = 8A, d´application: amplificatore di potenza alta frequenza, transistori di communtazione e prestazione, transistore di comm... [piú]
2SJ56H è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 200V, Ids = 8A, d´application: amplificatore di potenza alta frequenza, transistori di communtazione e prestazione, transistore di commutazione rapida
Foto: -
fonte: Hitachi Power MOSFET Data...... [piú]
Hitachi Power MOSFET Data Book 04/83
Informazioni aggiuntive per 2SJ56H
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura: TO-3
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
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-
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2SJ56H


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -200V
IDS -8A
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Ptot 125W
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