Lookbooks
R
X
G
Pagina:

HAT1009F


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -30V
IDS DC/AC -2.5A / -10A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.16Ω/2A
Ptot -
fT -
HAT1009F è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 30V, Ids = 2.5A, d´application: 2 transistor in una cassa, livello logico, VFET
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per HAT1009F
OEM:Hitachi Ltd.
copertura:8-MDIP
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:-
cerca un compon.:ricerca

HAT1009F


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -30V
IDS DC/AC -2.5A / -10A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.16Ω/2A
Ptot -
fT -
HAT1009F è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 30V, Ids = 2.5A, d´application: 2 transistor in una cassa, livello logico, VFET
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per HAT1009F
OEM:Hitachi Ltd.
copertura:8-MDIP
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:-
cerca un compon.:ricerca

HAT1009F


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -30V
IDS DC/AC -2.5A / -10A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.16Ω/2A
Ptot -
fT -
HAT1009F è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 30V, Ids = 2.5A, d´application: 2 transistor in una cassa, livello logico, VFET
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per HAT1009F
OEM:Hitachi Ltd.
copertura:8-MDIP
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:-
cerca un compon.:ricerca