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TIXS67


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -25V
IDS -0.125A
UGS ±25V
RDS(ON) -
Ptot 360mW
fT -
TIXS67 è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 25V, Ids = 125mA, d´application: stadi con alta impendenza d´entrata
Foto: -
fonte: Texas Instruments Halblei...... [piú]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
Informazioni aggiuntive per TIXS67
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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GFX
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IDS -0.125A
UGS ±25V
RDS(ON) -
Ptot 360mW
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TIXS67 è un transistor silicio P-MOSFET, Uds = 25V, Ids = 125mA, d´application: stadi con alta impendenza d´entrata
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fonte: Texas Instruments Halblei...... [piú]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
Informazioni aggiuntive per TIXS67
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fT -
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