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BYX102G


si diodo
GFX
UR 9kV
IF 360mA
- -
trr 350nS
UF / IF <19.5V/1A
TJ 175°C
BYX102G è un diodo silicio, U = 9kV, I = 360mA, d´application: valanga controllata, "soft recovery", tipo ad alto voltaggio, raddrizzatore
color code: RD
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per BYX102G
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOD88A
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
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-
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- -
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TJ 175°C
BYX102G è un diodo silicio, U = 9kV, I = 360mA, d´application: valanga controllata, "soft recovery", tipo ad alto voltaggio, raddrizzatore
color code: RD
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
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TJ 175°C
BYX102G è un diodo silicio, U = 9kV, I = 360mA, d´application: valanga controllata, "soft recovery", tipo ad alto voltaggio, raddrizzatore
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