GT5J311 SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 5/10A | Ptot | 45W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Foto: | - | fonte: | datasheet | | Informazioni aggiuntive per GT5J311 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | 2-10S2C_SM | scheda tecnica (jpg): | - | scheda tecnica (pdf): | - | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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