| GT60M104
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 900V | | | UGE | ±25V | | IC DC/AC | 60/120A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 350/500nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | fonte: | Toshiba Databook Power MO...... [piú] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | | informazioni aggiuntive per GT60M104 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | 2-21F2C | | scheda tecnica (jpg): | disponibile | | scheda tecnica (pdf): | disponibile | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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