| GT60M301
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 900V | | | UGE | ±25V | | IC DC/AC | 60/120A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 350/500nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | fonte: | Toshiba IGBT Databook 199...... [piú] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | informazioni aggiuntive per GT60M301 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | 2-21F2C | | scheda tecnica (jpg): | disponibile | | scheda tecnica (pdf): | disponibile | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
| - | prodotti simili:
| - | | maschera di ricerca prodotti simili: | - | | | cerca un compon.: | ricerca |
|
