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GT8N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 8A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
informazioni aggiuntive per GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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TJ -
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Jaeger electronic catalog 1999
informazioni aggiuntive per GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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