| GT8Q102
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 8/16A | | Ptot | 50W | | TON/TOFF | 400/700nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | fonte: | Toshiba IGBT Databook 199...... [piú] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | informazioni aggiuntive per GT8Q102 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | 2-10S2C | | scheda tecnica (jpg): | disponibile | | scheda tecnica (pdf): | disponibile | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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