MG50Q2YS50 SI N-IGBT transistor | | UCE | 1200V | | - | - | IC | 78A | Ptot | 400W | fT | - | TJ | 150°C | Foto: | - | fonte: | Toshiba Databook 1996 | | Informazioni aggiuntive per MG50Q2YS50 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | 2-94D4A | scheda tecnica (pdf): | disponibile | scheda tecnica (jpg): | - | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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