| GT50M101
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 900V | | | UGE | 25V | | IC | 50A | | Ptot | 180W | | TON/TOFF | 350/800nS | | TJ | - | | Foto: | - | | fonte: | Jaeger electronic catalog...... [piú] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Informazioni aggiuntive per GT50M101 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | TOP-3L | | scheda tecnica (jpg): | - | | scheda tecnica (pdf): | - | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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