GT60M102 SI N-IGBT transistor | | UCE | 900V | | UGE | 25V | IC | 60A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/800nS | TJ | - | Foto: | - | fonte: | Jaeger electronic catalog...... [piú] Jaeger electronic catalog 1999 | | Informazioni aggiuntive per GT60M102 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | TOP-3L | scheda tecnica (jpg): | - | scheda tecnica (pdf): | - | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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