GT60M105 SI N-IGBT transistor | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/800nS | TJ | 150°C | Foto: | - | fonte: | Toshiba Databook Power MO...... [piú] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | Informazioni aggiuntive per GT60M105 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | 2-21F2C | scheda tecnica (jpg): | disponibile | scheda tecnica (pdf): | disponibile | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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